삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA (Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다고 밝혔다.
▲ (사진) 왼쪽부터 삼성전자 경계현 대표이사, 산업통상자원부 이창양 장관, 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장이 출하식에서 기념 촬영을 하고 있다.
삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA (Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다고 밝혔다.
▲ (사진) 왼쪽부터 삼성전자 경계현 대표이사, 산업통상자원부 이창양 장관, 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장이 출하식에서 기념 촬영을 하고 있다.
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